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新设备:Ø200mm 兼容曝光机 MA-4301M;制造商:日本制造商
简介:
主要特长:利用本公司独创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。装载机侧和卸载机侧最多可设置两个篮具(选购项)。备有冷却机构,可进行基板台与掩膜的温度管理(选购项)。搭载本公司独创的镜面光学系统爆光灯房(LAMP HOUSE)。
从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。搭载非接触预对位系统(PREALIGNER)。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。
主要规格:
1、Wafer材料:Si,Glass
2、Wafer尺寸:Φ6″ × t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm、Φ8″ × t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
3、节拍时间:Proximity exposure:19 s/wafer、(One parallelism compensation per lot)
4、间隙:1 to 200 μm Servo motor、Setup resolution:1 μm
5、对位精度:自动对位:+/- 1 μm(Peak search)
6、尺寸・重量:本体尺寸:W 1800 × D 1650 × H 2015 mm
7、总重量(including lamp house):1400 kg
8、曝光方式:Soft contact exposure、Hard
contact exposure、Proximity exposure
兼营销售二手半导体相关进口设备,全新半导体设备,欢迎咨询:18938163036
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